绝缘栅型场效应管电流方向

本篇文章给大家分享绝缘删型场效应管，以及绝缘栅型场效应管电流方向对应的知识点，希望对各位有所帮助。

简述信息一览：

• 1、为什么场效应管输入电阻高?
• 2、绝缘栅(MOSFET)型场管能代替结型(JFET)型场管吗?为什么?
• 3、IGBT是什么元件
• 4、IGBT的导通和截止条件是什么?
• 5、IGBT管与场效应管的区别及用途?

为什么场效应管输入电阻高?

主要原因是场效应管是电压控制元件，理想的场效应管栅极G与源极S间基本上是无电流的，只有控制电压，但G与S间是绝缘的，因此电阻非常大，通常为10的八次方。

因为三极管是取输入端的电流控制输出端的原理，输入端的等效电路是是基极和发射级之间的电阻RBE，其数量数字大概是1K欧姆左右并且还并联一个偏流电阻RB，所以输入电阻比较小。场效应管是取栅极电压控制源极漏极的电流大小，基本上不取电流并且栅极电阻很大一般在几百K欧姆以上所以输入电阻比较高。

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

场效应管工作的时候，输入极（栅极）是和衬底绝缘的，没有电流流入，依靠和衬底之间的电压来控制源极-漏极之间的电阻大小。结型场效应管的原理差不多，其工作时候的PN结是反偏的，也没有输入电流。场效应管是电压控制性原件，所以输入阻抗极高，输入电阻至少10M欧以上。

输入回路的输入电阻相当于前一级的负载，负载的阻值越大，回路中的电流就越小，前一级的内阻上的压降越小，输出电压越高。简单的说，就相当于电源的带载能力越强。

绝缘栅(MOSFET)型场管能代替结型(JFET)型场管吗?为什么?

不可以。因为结型场管是耗尽型的，而绝缘栅型场管有耗尽型和增强型两种，这种做法一般不可取。绝缘栅型场效应管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

不能；MOS型管子的特性（包括导通要求，频率特性，电流，电压特性）、原理与结型管差很多，NJFET是负电压导通，而 NMOS型是正电压导通，完全不一样。一般来说，JFET的管子用在小功率信号放大比较多，而NMOS主要用于大功率电路。

JFET的构造：JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。结型场效应晶体管是一种具有放大功能的三端有源器件，是单极场效应管中最简单的一种，它可以分N沟道或者P沟道两种。

IGBT是什么元件

就是功率三极管，也叫晶闸管、开关管等，是电磁炉及其它线路中重要元件。三条腿，一般中间是删极、左右边是集电极和发射极。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT（双极结型晶体三极管） 和 MOS（绝缘栅型场效应管） 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特性 是电力控制器件。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT的导通和截止条件是什么?

1、IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。

2、IGBT导通和截止条件是：开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通； 当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。

3、开关管上（三极管、MOS管、IGBT）压降小于0.3V时为导通；开关管上（三极管、MOS管、IGBT）压降接近电源电压时为截止。

IGBT管与场效应管的区别及用途?

IGBT全称是：绝缘栅双极型场效应晶体管，它是一种场效应管。它具有驱动简单，输入阻抗高，速度快等特点。场效应管的种类很多，IGBT其实是BJT和MOSFET的复合，光从外表上看不出来，都是三个引脚封装的，管子上面的型号可以说明它属于哪一种。

IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

两者是不同的管型，一般此类功率器件多数是并联来提高工作电流，而串联只能升高工作电压，而要提高工作电压可以选择耐压较大的管子，不必用管子来串联提高，没有必要！至于是否能加管子那要看电路的功率余量（电源、输出、驱动）一般是不行的。单管IGBT属于绝缘门极晶体管 ，第四代逆变技术。

场效应管的应用，在中小功率中比较占优势，用于小功率 的民用系列焊机，特别是高的开关频率。单管IGBT正在逐步替代场效应管。 IGBT的应用，在大功率应用中占优势，因为Vce在高压大电流的时候损耗比场效应管的Rdson的低，但是IGBT的开关损耗比较大。 IGBT模块是工业 、重工业用焊机。

IGBT焊机和MOS管有3点不同：两者的含义不同：IGBT焊机的含义：逆变过程需要大功率电子开关器件，***用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS管的含义：MOS管，是MOSFET的缩写。

要看在什么情况下使用，场效应管的特点是响应速度快，驱动电压底，栅电容底，缺点是导通阻抗高，导通电流低。IGBT的特点是导通电流相对较大可以达到上百安，导通电阻低。缺点是响应速度慢，驱动电压高，栅电容高。

关于绝缘删型场效应管，以及绝缘栅型场效应管电流方向的相关信息分享结束，感谢你的耐心阅读，希望对你有所帮助。