绝缘栅场效应管工作原理

本篇文章给大家分享绝缘栅场效应管发展，以及绝缘栅场效应管工作原理对应的知识点，希望对各位有所帮助。

简述信息一览：

• 1、场效应管分为几种?
• 2、如何判断分结型场效应管,绝缘栅型场效应管
• 3、场效应管属于电流型控制型器件
• 4、场效应管特性及单端甲类功放制作全过程
• 5、IGBT管与场效应管的区别及用途?

场效应管分为几种?

三极管分PNP和NPN两种，两种的区别是电流流向和电压极性相反。但都需要VBE大于等于0.7V导通。.场效应管分NMOS和PMOS，每种又分增强型和耗尽型。但是NMOS和PMOS所需施加的电压极性也刚好相反。半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。

场效应管与三极管3 个电极的对应关系是： G 极对应B 极， S 极对应E 极， D 极对应C 极。

共漏极配置 在共漏极模式中，漏极接电源正极，形成一个固定电压参考点。基极与栅极作为输入，射极与源极作为输出。这个配置的特点是输出电压对输入信号的反应较小，电流放大效果明显，同时，它的高频性能同样表现出色。

如何判断分结型场效应管,绝缘栅型场效应管

场效应管型号如IRF...三极管型号如国产：3DD，国外：2S...场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。

场效应管按结构可分为结型场效应管（缩写为JFET）和绝缘栅场效应管（缩写为JGFET），从导电方式看，场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种，而JFET只有耗尽型。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应管属于电流型控制型器件

三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

晶闸管（可控硅），它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型（控制导通、自然关断）电力电子器件，门极可关断晶闸管（GTO）属全控型电力电子器件。电力晶体管（GTR），属于电流控制电流全控型电力电子器件。绝缘栅场效应管（PMOS），属于电压控制电流全控型电力电子器件。

控制】。也就是说，电压控制型的元件、需要电压来控制；电流控制型的元件需要电流来驱动。——★以三极管为例：场效应管的输入阻抗非常高，属于电压控制型，源极需要输入电压、而电流极低；普通三极管就属于电流控制型的器件，基极需要偏置电流才能工作在放大状态。这就是两者的区别。

晶闸管属于电流型器件，而场效应管IGBT才是电压型器件。晶闸管一般是指可控硅。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。

场效应管特性及单端甲类功放制作全过程

1、场效应管的电压与电流特性曲线与五极电子管输出特性曲线十分相似。 场效应管的品种较多，大体上可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两类，且都有N型沟道（电流通道）和P型沟道两种，每种又有增强型和耗尽型共四类。 绝缘栅场效应管又称金属（M）氧化物（O）半导体（S）场效应管，简称MOS管。

2、推挽放大器的输出级有两个“臂”（两组放大元件），一个“臂”的电流增加时，另一个“臂”的电流则减小，二者的状态轮流转换。对负载而言，好像是一个“臂”在推，一个“臂”在拉，共同完成电流输出任务。尽管甲类放大器可以***用推挽式放大，但更常见的是用推挽放大构成乙类或甲乙类放大器。

3、并且场效应管参与功率输出，推动级静态电流高达300～600mA，从推动级开始，功放便工作在甲类状态。同样，电压放大部分可选用图1的和田茂士前级电路。

IGBT管与场效应管的区别及用途?

1、IGBT全称是：绝缘栅双极型场效应晶体管，它是一种场效应管。它具有驱动简单，输入阻抗高，速度快等特点。场效应管的种类很多，IGBT其实是BJT和MOSFET的复合，光从外表上看不出来，都是三个引脚封装的，管子上面的型号可以说明它属于哪一种。

2、IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

3、两者是不同的管型，一般此类功率器件多数是并联来提高工作电流，而串联只能升高工作电压，而要提高工作电压可以选择耐压较大的管子，不必用管子来串联提高，没有必要！至于是否能加管子那要看电路的功率余量（电源、输出、驱动）一般是不行的。单管IGBT属于绝缘门极晶体管 ，第四代逆变技术。

4、场效应管的应用，在中小功率中比较占优势，用于小功率 的民用系列焊机，特别是高的开关频率。单管IGBT正在逐步替代场效应管。 IGBT的应用，在大功率应用中占优势，因为Vce在高压大电流的时候损耗比场效应管的Rdson的低，但是IGBT的开关损耗比较大。 IGBT模块是工业 、重工业用焊机。

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