绝缘栅场效应管大全

文章阐述了关于绝缘栅场效应管大全，以及绝缘栅型场效应管导通条件的信息，欢迎批评指正。

简述信息一览：

• 1、场效应管k3878参数表
• 2、绝缘栅场效应管结构和符号
• 3、绝缘栅场效应管的结构和符号
• 4、p75nf75是什么管脚图?
• 5、场效应管的型号

场效应管k3878参数表

1、K3878是N沟道场效应管，耐压是900V，电流9A，耗散功150W。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

2、K4107可以用K3878代替，因为它们的电流、电压和功率等参数相同。但是请注意，K4107和K3878的功能可能不同，因此在进行替换时需要确保它们的特性匹配您的电路设计。如果您有任何疑虑或需要更详细的信息，请咨询专业的电子工程师或相关技术文献。

3、不能，性能参数不同，性能高的可以代替性能低的，但要注意效应管周围各电子器件的相关性能参数变化值及后面电路部分受到的影响。

4、可以的。拓展：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET-JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

绝缘栅场效应管结构和符号

b ）表示 N 沟道增强型绝缘栅场效应管。 3，（ c ）表示 P 沟道耗尽型绝缘栅场效应管。它们的文字符号也是“ VT ”。 扩展资料； 电路图主要由元件符号、连线、结点、注释四大部分组成 。 元件符号表示实际电路中的元件，它的形状与实际的元件不一定相似，甚至完全不一样。

栅 shān 是指在绝缘栅型场效应管（MOSFET）中的一个重要部分，被称为栅极。这个术语也用于其他电子管中，它是控制电流流动的关键电极。在光栅中，栅字指的是用于产生光的衍射图像的光学仪器。在方言中，栅字可能用来指代特定的地点，例如北京的前门外的热闹街市名“大栅栏”。

判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。

三极管是电流控制型 场效应管是电压控制型 从型号区分 场效应管型号如 IRF ...三极管型号如 国产：3DD，国外：2S...场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

场效应管按结构可分为结型、绝缘栅型两大类。场效应管是场效应晶体管的简称，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

绝缘栅场效应管的结构和符号

首先，我们来看一下N沟道增强型绝缘栅场效应管（MOSFET）的基本构造。如图一所示，图1展示了这种器件的结构示意图和符号。它由一块P型硅基底构成，其中包含两个高掺杂浓度的N+区，这两个区域被均匀地分布在硅片上。

图1是N沟道增强型MOS管的结构示意图和符号。它是在一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，在两个N+区之间的硅表面上制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，然后在SiO2和两个N型区表面上分别引出三个电极，称为源极s、栅极g和漏极d。在其图形符号中，箭头表示漏极电流的实际方向。

从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 结型场效应管结构：N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。

场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。结构与分类图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。

场效应管分为结型（JET）管和绝缘栅型（MOS）管两种，符号如上，你可以想象成将字母J和字母M向左翻转90度，结型管符号好像翻转的J，MOS管右边的三个引出端好像字母M翻转后的三个点。这样就好记忆了。

p75nf75是什么管脚图?

1、p75nf75是场效应管，接脚如图，从左到右，依次为栅极G、漏极D、源极S。场效应管是利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它的外型也是一个三极管，因此又称场效应三极管。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。

2、这种是场效应管，也就是MOSFET， N沟道。MOSFET一般有栅极G，漏极D，源极S，分别对应1，2，3脚（正面看，左边数起），MOSFET属于电压控制器件和晶体管还是有区别的。

3、P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，***用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。

4、P75NF75：N沟道场效应管。p75nf75三极管：导电方式为增强，N沟道 ，导电方式为增强型的三极管。用途：用于MOS-ARR或者陈列组件。组成：N-FET硅。P75NF758三极管和NCE7580一样，场效应管参数80A，75V。

场效应管的型号

1、IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET）简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

2、场效应管家族中，IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140和IRFP240等型号各具特色。它们共同构成了场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称FET）这一类别，主要分为两种基本类型：Junction Field-Effect Transistor（JFET）和Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor（MOS-FET）。

3、场效应管的型号命名***用了两种标准方法。首先，其命名规则与双极型三极管相似，其中第三位字母扮演重要角色。若为J，表示该管为结型场效应管；O则代表绝缘栅场效应管。第二位字母则标明材料性质，D表示P型硅，其反型层为N沟道；而C则指N型硅与P沟道的组合。

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