绝缘栅场效管的控制方式

简述信息一览：

• 1、绝缘栅场效应管工作的原理是什么
• 2、如何判断分结型场效应管,绝缘栅型场效应管
• 3、三极管和场效应管怎么区分?
• 4、场效应管按结构可分为两大类

绝缘栅场效应管工作的原理是什么

当通过另一个电极施加较低的电压时，就会抑制电子流动，从而减少或停止电流。这就是绝缘栅场效应管的工作原理。它通常用于电路中作为开关或调节器使用。当在一个绝缘栅场效应管的电极处施加较高的电压时，会产生一个电场，该电场会把电子从半导体材料中向另一个电极输送。这就形成了一个电流。

它的工作原理是通过控制绝缘层上的电子流，来控制通过效应管的电流。当IGBT的控制电压达到一定值时，绝缘层内的电子开始导通，将整流晶体管的P型和N型半导体连接，从而导通整流晶体管，实现对负载的控制。

工作原理：图2中衬底为P型半导体，在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压UGS，则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场，在这一电场作用下，P型硅表面的多数载流子-空穴受到排斥，使硅片表面产生一层缺乏载流子的薄层。

绝缘栅场效应管（MOSFET）的工作原理基于利用电压UGS来控制导电沟道的宽度，从而影响漏极电流ID。MOSFET有两种类型：增强型和耗尽型。增强型MOS管在UGS=0时无导电沟道，而耗尽型MOS管则在UGS=0时有导电沟道。图二中的结构包括P型半导体衬底、二氧化硅（SiO2）薄膜和金属铝层。

场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）。场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。

如何判断分结型场效应管,绝缘栅型场效应管

如何判断分结型场效应管、绝缘栅型场效应管：结型场管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

场效应管的判断方法主要基于电阻测量。首先，对于结型场效应管，将万用表置于R×1k档，通过测量各管脚之间的正反向电阻来识别。如果某两个管脚间的电阻相等，达到数KΩ，那么它们是漏极D和源极S，剩下的一个则是栅极G。4个管脚的结型场效应管中，另一个是屏蔽极，通常接地。

若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。

三极管和场效应管怎么区分?

指代不同 三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。场效应管：是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。原理不同 三极管：把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。

性质上的区别 三极管，是一种控制电流的半导体器，是半导体基本元器件之一，是电子电路的核心元件。

场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。

场效应管是电压控制器件。三极管是双极性器件，场效应管是单极性器件。场效应管受外界温度、辐射影响较小，因此场效应管比三极管更稳定。三极管适用于分立元件的电路，而场效应管更适用于集成电路。三极管的输入电阻比场效应管要小。三极管的噪声系数比场效应管要大。

三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。场效应管是单极；三极管是双极。

场效应管按结构可分为两大类

1、场效应管按结构可分为结型、绝缘栅型两大类。场效应管是场效应晶体管的简称，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

2、场效应管主要分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。在结型场效应管中，根据沟道材料和导电方式，分为N沟道和P沟道，且均为耗尽型。其结构有N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管，电极包括栅极、漏极和源极。

3、场效应管的品种许多，按构造可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管次要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管） 。MOS管又分为“耗尽型”和“加强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道 。

4、场效应管分结型、绝缘栅型两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型。场效应管，又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。

5、场效应管主要有以下类型：结型场效应管、绝缘栅场效应管。下面详细介绍这两种类型：结型场效应管 结型场效应管是一种利用半导体材料的特性，通过改变电场来控制电流的器件。其工作原理基于半导体材料的PN结特性，通过改变电压来调整PN结的宽度，从而控制电流的大小和方向。

6、场效应管分为两大类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

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