绝缘场效应管电路

简述信息一览：

• 1、场效应管工作(场效应管工作状态)
• 2、请教场效应管的简单接法
• 3、电场效应的原理是什么?
• 4、如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?
• 5、场效应管的特点

场效应管工作(场效应管工作状态)

1、三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。参考资料：百度百科-场效应管场效应管工作原理是什么？场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。

2、a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。3：d是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态。

3、判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。

4、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

5、场效应管可以用作电压放大器，将输入信号的电压放大到更高的电压。具体操作步骤如下：（1）将输入信号连接到场效应管的栅极上，将输出信号连接到漏极上；（2）调整栅极与源极之间的电压，使场效应管工作在饱和状态；（3）通过调整源极电阻，可以改变电压放大倍数。

6、场效应管的工作原理可以这样理解：电流 ID（漏极-源极间）流经由栅极与沟道间pn结形成的反偏控制区，这个控制作用由栅极电压 VGS 所决定。具体来说，ID 流过沟道的宽度，即沟道截面积，会随着pn结反偏状态的变化，导致耗尽层的扩展，进而影响ID的大小。

请教场效应管的简单接法

N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）栅极/基极（G）接控制信号，源极（S）接负载电源负极（模拟地），漏极（D）接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极（G）接控制信号，源极（S）接负载电源负极（模拟地），漏极（D）接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。

在各管输入端串接一个8欧左右的小电阻，然后并连在一起接到IN（信号输入端）S极的小电阻可以不要 将各管D极并连后接负载。场效应管是正温度系数元件，能够自动均衡电流，因此多管并联扩流是可以不加均衡电阻的。而双极型晶体管是负温度系数，是必须加均流电阻的。

将电烙铁外壳接地，或使用带PE线的电烙铁；电烙铁加热后断开电源焊接；将场效应管的引脚用细铜丝缠绕起来，焊接完成后再拆去铜丝；先焊接PCB上的其它元件，最后焊接场效应管、集成电路等。

电场效应的原理是什么?

1、“磁”的确是“电”的相对论效应，两者本是同源。在物理学中，有四大相互作用，分别是强力、弱力、电磁力和万有引力。电磁力就是库仑力，电和磁的本质也都是库仑力，电力很容易理解，同性电荷相互排斥，异性电荷相互吸引，但是磁力理解起来，就要抽象很多。

2、H.C.Oersted）发现的电流磁效应和安培发现的电流与电流之间相互作用的规律。再后来， 法拉第提出了电磁感应定律，这样电与磁就连成一体了。 19世纪中叶，麦克斯韦提出了统一的电磁场理论，实现了物理学的第二次大综合。电磁 定律与力学规律有一个截然不同的地方。

3、哈奇森效应最初是由一位加拿大物理学的业余爱好者针对零点能发现的一种现象，据说在他的很多次实验中都发生了物体持续漂浮或者在空中旋转升起，或者是自动抛出的过程，所以这种现象哈奇森都认为是因为物体出发了零点导致的，但目前来说这种说法并没有科学原理做支撑，存在争议。

如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?

结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

理解漏极开路门的特性 漏极开路门，以其内部的NMOS晶体管为核心，输出电平的控制权巧妙地交由外部和内部逻辑共同协作。当控制信号开启时，NMOS导通，输出呈现低电平，反之，当信号关闭，NMOS处于开放状态，总线电平则由外部的上拉电阻维持，实现了灵活的电平控制与释放。

管道的长度越短，电子流过晶体管的速度越快，因此能获得更高的频率。图2为NMOS管时延与晶体管尺寸之间的关系，可以看出，芯片速度与管道长度成反比。也就是说，只要将管道长度缩短一半，工作频率可提高4倍。芯片速度除了和晶体管的速度有关外，还与芯片的布线延迟有着密切关系，缩短布线长度同样可以提高芯片速度。

MOS管的开关特性：MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

静态功耗低，每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大，近似等于电源电压。抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右。可在较广泛的电源电压范围内工作，便于与其他电路接口，速度快，门延迟时间达纳秒级；在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；与NMOS电路相比，集成度稍低。

我已经被你问的所有问题搞糊涂了，这这题而言，Q2的源是VDD128，Q3的发射极是GND128，两者不同，所以，R6是要接的。建议你在一个问题里追问就行了。

场效应管的特点

1、V型槽场效应管在高频和高功率应用中表现出良好的性能，特别是在需要高跨导和低噪声的应用中表现尤为出色。综上所述，场效应管主要包括结型场效应管、绝缘栅场效应管和V型槽场效应管三种类型。每种类型的场效应管都有其独特的特点和应用领域，为电子设备的设计和性能提升提供了多样化的选择。

2、场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，***用场效应管比较合适。场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。

3、场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流，还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。

4、特点 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）。（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好。

5、场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

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