绝缘栅极双极晶体管的特点

xiaofei
绝缘管资讯
2024-06-07 12:05:12
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文章阐述了关于绝缘栅极双极晶体管，以及绝缘栅极双极晶体管的特点的信息，欢迎批评指正。

简述信息一览：

1、绝缘栅双极型晶体管是以什么为栅极
2、请介绍一下绝缘栅双极型晶体管的特性及其用途?
3、百度知道
4、绝缘栅双极型晶体管简称
5、绝缘栅双极晶体管是什么?IGBT又是什么?是什么的缩写
6、igbt是什么

绝缘栅双极型晶体管是以什么为栅极

绝缘栅双极型晶体管就是我们通常所说的IG***，它的基本原理是由一个MOS管和一个晶体管构成的复合管。控制原理是控制MOS管的栅极，再由MOS管控制晶体管的通断。这里是利用了MOS管的高阻抗输入电压（电场）控制特性和晶体管的大电流特性。因为它的栅极实际上就是内部MOS管的栅极。

IG***，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

（图片来源网络，侵删）

绝缘栅双极晶体管缩写IG*** IG***是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IG***消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

绝缘栅双极晶体管（IG***）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。

IG***全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种高压、高功率开关装置，由于其结构类似于MOSFET，又具有BJT低压降的特点，因此在一些应用领域中更加普遍。IG***可用于直流至高达几千伏的大电压电力转换器上。

（图片来源网络，侵删）

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。

请介绍一下绝缘栅双极型晶体管的特性及其用途?

绝缘栅双极型晶体管IG***是一种由单极型的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。其具有如下特点：输入阻抗高，驱动功率小。开关速度快。驱动电路简单。工作频率高。导通压降较低、功耗较小。能承受高电压大电流。热稳定性好。

【答案】：绝缘栅双极型功率晶体管（IG***）是兼备功率场效应管MOSFET的栅极电压激励、高速开关特性和GTR的大电流低导通电阻特性于一体的复合型器件。

IG***（绝缘栅双极型晶体管）是中国电力控制和电力转换领域的核心器件，它是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件。

IG***（绝缘栅双极型晶体管）是电力控制和电力转换的核心器件，是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、高速开关特性和低导通状态损耗等特点，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

IG***（绝缘栅双极晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是半导体铁电效应器件的一种。它***了两种半导体器件的优点：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）高输入阻抗、快速开关的特性，以及双极型晶体管（BJT）低饱和电压（导通时的压降）、高电流承受能力的特性。

IG***什么是 IG***IG***（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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绝缘栅双极型晶体管简称

IG***（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

变频器中的lg***指的是绝缘栅双极型晶体管，全称为Insulate-Gate Bipolar Transistor。lg***综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IG***也是三端器件：栅极，集电极和发射极。

绝缘栅双极晶体管是什么?IG***又是什么?是什么的缩写

1、IG***是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IG***就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IG***不用机械按钮，它是由计算机控制的。

2、IG***是英文Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，全称为绝缘栅双极型晶体管，简称IG***），通常用代号“G”表示。主要有集电极（C级），门级（G级），发射级（E级）。IG***的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，使IG***导通。

3、IG***（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

4、IG***是绝缘栅双极型晶体管。IG***全称“Insulated Gate Bipolar Transistor”。IG***是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IG***的特点是高耐压、导通压降低、开关速度快、驱动功率小。

5、IG***是InsulatedGateBipolarTransistor的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。其中I代表Insulated，G代表Gate，B代表Bipolar，T代表Transistor。IG***被归类为功率半导体元器件晶体管领域。IG***是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。

6、IG***全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种高压、高功率开关装置，由于其结构类似于MOSFET，又具有BJT低压降的特点，因此在一些应用领域中更加普遍。IG***可用于直流至高达几千伏的大电压电力转换器上。

ig***是什么

1、IG***（Insulated Gate Bipolar Transistor），中文名为绝缘栅双极型晶体管。它是功率电子技术领域中一种重要的半导体器件，将MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管（BJT）的高电导性状结合在一起。外部形式上看，IG***的管脚分别是集电极（Collector），发射极（Emitter），栅极（Gate）。

2、ig***是：绝缘栅双极型晶体管。ig***是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

3、IG***全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种高压、高功率开关装置，由于其结构类似于MOSFET，又具有BJT低压降的特点，因此在一些应用领域中更加普遍。IG***可用于直流至高达几千伏的大电压电力转换器上。

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绝缘栅极双极晶体管