绝缘栅场效应管动画

文章阐述了关于绝缘栅场效应管动画，以及绝缘栅型场效应管特性曲线的信息，欢迎批评指正。

简述信息一览：

• 1、绝缘栅场效应管工作原理
• 2、绝缘栅型场效应管的问题
• 3、绝缘栅型场效应管增强型为什么Ugs增大耗尽层会变宽

绝缘栅场效应管工作原理

G：gate栅极；S：source源极；D：drain漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

场效应管是一种利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体元件。场效应管按结构可分为两大类：结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。

IGB的基本定义：绝缘栅双极晶体管是一种复合功率半导体器件，融合了晶体管和硅控整流器的优点。它具有高电流容量、低饱和电压、快速开关时间和良好的热稳定性等特点。 IGB的工作原理：IGB结合了场效应晶体管和双极晶体管的特性。它***用电场来控制电流的通断，而不是通过传统的半导体掺杂来控制。

绝缘栅型场效应管的问题

【答案】：耗尽型管在uGS=0时，漏源极间就有导电沟道存在，而增强型管在uGS=0时，漏源极间没有导电沟道，即使加上uDS（数值在一定范围内），也没有漏极电流（iD=0）。

在场效应管之中，Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压，就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以，Vgs的电压能够控制S-D电导，电压越高，电导越大。并且Vsd越高，Isd也就越高。

首先明确一点，这里说的UGS不能小于0不是说小于0是会出现什么问题，而是说小于0是它不工作。因为在实际电路中任何情况都是可能的。N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS。

不可以。因为结型场管是耗尽型的，而绝缘栅型场管有耗尽型和增强型两种，这种做法一般不可取。绝缘栅型场效应管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

绝缘栅型场效应管增强型为什么Ugs增大耗尽层会变宽

使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是GDS排列，量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通，但不短路，量左边脚G与右边脚S是否相互不导通，如此则为好的N-MOS。场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，我们平常简称为MOS管。

即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

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