绝缘栅双形晶体管

今天给大家分享绝缘栅双形晶体管，其中也会对绝缘栅双极型晶体管简称的内容是什么进行解释。

简述信息一览：

• 1、IGBT管的参数
• 2、功率模块和igbt的区别
• 3、IGBT导通和截止是什么意思啊?
• 4、igbt管有什么特点,如何判断igbt管的极?如何判断igbt管是否损坏?

IG***管的参数

电磁炉常用的IG***管型号及参数如下：G40N60D150表示电磁炉用IG***管，型号为G40N60D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。G40N120D150表示电磁炉用IG***管，型号为G40N120D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。

FGA25N120是仙童公司的产品，是IG***管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IG***是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

V/650V-15A 600V/650V-30A 600V/650V-40A 600V/650V-50A 600V/650V-60A 600V/650V-70A 600V/650V-80A 1200V-15A 1200V-25A 1200V-35A 1200V-50A 1200V-60A 1200V-80A 1200v-100A 海飞乐技术，台湾工研院IG***芯片，内地封装，质量保证，价格优惠。

H20R1353可以用H20R1203代换，H20R1203参数：1200V20A48Ⅴ；H20R1353参数：1350Ⅴ20A6Ⅴ。IG***是电磁炉常常容易损坏的元器件之一，由于 IG*** 管工作在高电压、大电流、温度高状态，一般不超过2000W的电磁炉在相同的条件选择20A~30A的IG***即可。

功率模块和ig***的区别

1、IG***（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

2、年，CST***（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IG***模块得以实现[6]，它***用了弱穿通（LPT）芯片结构，又***用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IG***器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。

3、故障检测：功率模块通常还包括故障检测功能，以便在出现问题时发出警告或停止压缩机的运行，以防止可能的损坏。汽车空调中的功率模块通过电子控制和监测，确保制冷系统以最佳方式运行，以提供舒适的车内温度，同时提高能效并延长系统寿命。这使得空调系统能够根据不同的驾驶条件和需求进行调整。

4、智能功率模块是一种先进的功率开关器件，具有GTR（大功率晶体管）高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及MOSFET高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。

5、单管IG***焊机代价低，大多数作为民用机，IG***模块控制的焊机焊接参数精确程度更高，性能也更加稳定，价格高，作为要求更加严格的工业或重工业用焊机。

6、分类 低功率IG*** IG***应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IG***产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。

IG***导通和截止是什么意思啊?

IG***是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IG***就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IG***就被关断。

这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IG***的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IG***与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

IG***的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IG***的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IG***的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

IG***的控制极由驱动器驱动，驱动器输出一定频率的脉冲，根据驱动电路输出的脉宽来调整IG***通断时间的长短，从而达到调整功率的要求。电磁炉功率控制模块主要是控制IG***的导通和截止的时间从而来控制功率的大小。

开关管上（三极管、MOS管、IG***）压降小于0.3V时为导通；开关管上（三极管、MOS管、IG***）压降接近电源电压时为截止。

ig***管有什么特点,如何判断ig***管的极?如何判断ig***管是否损坏?

IG***控制模块毁坏时，仅有穿透短路故障状况出现。红、黑两直流电流表各自测栅极G与发射极E中间的正反面向特点，数字万用表2次测定的标值都为较大 ，这时候可判断IG***控制模块门极一切正常。如果有标值显示信息，则门极特性下降，此控制模块应拆换。

IG***管的G极到c、 e极的电阻应为无穷大，即Rgc= Rge =无穷大，而IG***管的之间有阻尼-极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce =无穷大，Rec= 几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏，却区分不出是那种管子。

维修电磁炉的时候，经常需要测量判断IG***管子的好坏，这里介绍用普通指针万用表测量判断IG***管的方法检测IG***管时，可用指针万用表的R×1k挡，正反测GE及GC两极的电阻，正常均应为无穷大然后红表笔接C极，黑表笔。

红表笔接ig*** 的发射极（e），此时万用表的指针在零位，用手指同时触及一下栅极（g）和集电极（c），这时ig*** 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（g）和发射极（e），这时ig*** 被阻断，万用表的指针回零，此时即可判断ig*** 是好的。

IG***的特点：电流密度大，是MOSFET的数十倍。输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单。低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通电阻Rce（on）不大于MOSFET的Rds（on）的10%。击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不会受损坏。

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