绝缘上双极晶体管

本篇文章给大家分享绝缘上双极晶体管，以及绝缘双极性晶体管对应的知识点，希望对各位有所帮助。

简述信息一览：

• 1、绝缘栅双极型功率晶体管(IGBT)有何突出的优点?
• 2、绝缘栅双极晶体管的简介
• 3、igbt是什么

绝缘栅双极型功率晶体管(IG***)有何突出的优点?

【答案】：绝缘栅双极型功率晶体管（IG***）是兼备功率场效应管MOSFET的栅极电压激励、高速开关特性和GTR的大电流低导通电阻特性于一体的复合型器件。

绝缘栅双极型晶体管IG***是一种由单极型的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。其具有如下特点：输入阻抗高输入阻抗高，驱动功率小。开关速度快开关速度快。驱动电路简单驱动电路简单。工作频率高工作频率高。导通压降小导通压降较低、功耗较小。

电流密度大，是MOSFET的数十倍。输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单。低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通电阻Rce（on）不大于MOSFET的Rds（on）的10%。击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不会受损坏。

绝缘栅双极晶体管的简介

1、IG***全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IG***作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

2、如前文所述，当通过栅极提供栅正偏压时，在MOSFET部分形成一个N沟道。如果这一电子流产生的电压处于0.7V范围内， P+ / N- 则处于正向偏压控制，少数载流子注入N区，形成一个空穴双极流。导通时间是驱动电路的输出阴抗和施加的栅极电压的一个函数。

3、IG*** 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的简称，中文可以翻译为“绝缘栅双极晶体管”。它是一种功率电子设备，应用于许多高功率开关电源和电力控制应用中。IG*** 的主体是一个双极型晶体管，而它的控制部分（即“门极”）则***用了场效应晶体管（FET）的工作原理。

ig***是什么

ig***（insulated gate bipolar transistor），绝缘三双极型功率管，是由bjt（双极型三极管）和mos（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IG***（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IG***（Insulated Gate Bipolar Transistor），中文名为绝缘栅双极型晶体管。它是功率电子技术领域中一种重要的半导体器件，将MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管（BJT）的高电导性状结合在一起。外部形式上看，IG***的管脚分别是集电极（Collector），发射极（Emitter），栅极（Gate）。

ig***是：绝缘栅双极型晶体管。ig***是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

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