绝缘栅级场效应管

文章阐述了关于绝缘栅级场效应管，以及绝缘栅场效应管原理的信息，欢迎批评指正。

简述信息一览：

• 1、绝缘栅型场效应管原理
• 2、绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流是否比结型场效应管的小
• 3、绝缘栅场效应管的主要参数
• 4、绝缘栅场效应管
• 5、绝缘栅型场效应管好坏及极性

绝缘栅型场效应管原理

Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。

薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管。它的工作状态可以利用Weimer表征的单晶硅MOSFET工作原理来描述。以n沟MOSFET为例，物理结构如图2。当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电力线由栅电极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。

绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。因为绝缘栅型场效应管的栅极为金属铝，故又称为MOS管。场效应管按导电方式的不同来划分，可分成耗尽型与增强型。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流是否比结型场效应管的小

1、是的。绝缘栅场效应管没有击穿时，栅极和源极以及栅极和漏极间的绝缘电阻可以认为无穷大，因此，栅极静态电流近似为0。而结型场效应管栅-源和栅漏间的绝缘电阻要比绝缘栅场效应管小得多，因此，在相同的偏压下，栅极静态电流要比绝缘栅场效应管大。

2、绝缘栅场效应管的栅极电流为零，正确。栅极都绝缘了，没有电流输入（导通时瞬间结电容电流除外）。结型场效应管的栅极电流为零，错误。结型场效应管的栅极处于反向偏置状态，存在着很小的反向电流。

3、绝缘栅场效应管的主要参数包括：Idss，即饱和漏源电流，它是在栅极电压UGS等于零时，结型或耗尽型场效应管中流过的电流。这个参数反映了管子在最理想工作条件下的电流容量。Up，也称为夹断电压，是当栅极电压达到这个值时，漏源之间的电流恰好截止，此时管子的工作状态从导通变为截止。

4、MOS管全称是MOSFET，意思是金属绝缘栅型场效应管，因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名，且栅极通常***用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）。与结型管相比，MOS管的输入电阻更大，通过电流能力很强，耐压值也可以做到比较高，可以承受更大的功率。

5、MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

6、结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

绝缘栅场效应管的主要参数

IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

绝缘栅场效应管的主要参数包括：Idss，即饱和漏源电流，它是在栅极电压UGS等于零时，结型或耗尽型场效应管中流过的电流。这个参数反映了管子在最理想工作条件下的电流容量。Up，也称为夹断电压，是当栅极电压达到这个值时，漏源之间的电流恰好截止，此时管子的工作状态从导通变为截止。

场效应管k3878参数如下：2sk3878---N沟、D、S带保护二极管；G、S带保护双向二极管工作电压---900v连续最大电流---9a最大脉冲电流---27a最大输出功率---150w栅极最大工作电压30v 基本简介 K3878是场效应管，型号命名，有两种命名方法。

使用时主要关注的参数有：IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。gM—跨导。

V、120A、25W。30g122场效应管是一款绝缘栅双极型晶体管，其参数为400V、120A、25W，并且***用了天机9000处理器，这款处理器的性能不断强大。

绝缘栅场效应管

1、结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

2、Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。gM—跨导。

3、确切来说，是绝缘栅型场效应管输入电阻高。主要原因是场效应管是电压控制元件，理想的场效应管栅极G与源极S间基本上是无电流的，只有控制电压，但G与S间是绝缘的，因此电阻非常大，通常为10的八次方。

4、绝缘栅场效应管的栅极电流为零，正确。栅极都绝缘了，没有电流输入（导通时瞬间结电容电流除外）。结型场效应管的栅极电流为零，错误。结型场效应管的栅极处于反向偏置状态，存在着很小的反向电流。

5、结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（IGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。由于绝缘栅型的栅极为金属铝，所以又称为MOS管。绝缘栅型又可分为增强型和耗尽型，其中耗尽型是添加了离子的。

6、绝缘栅型场效应管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

绝缘栅型场效应管好坏及极性

1、Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同 样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

2、由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏，所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的；而结型场效应管在包装上无特殊要求。

3、主板上的场效应管，以绝缘栅型为主，其中增强型N沟道最为常见，其次是增强型P沟道。结型管和耗尽型管相对较少。在更换时，遵循一个重要的原则：大小相当，N沟道对N，P沟道换P，这样的操作可以确保替换后性能稳定，不会引起电路的混乱。

4、IRF640B是N沟道绝缘栅型场效应管/MOS管，引脚向下，字面向自己，从左到右依次是栅极G、漏极D、源极S；用万用表的二极管档测量D、S有正向导通，反向不通，其他任意两引脚之间都不能导通，基本上可以认为是好的。

5、G极和D、S两极之间电阻永远为∞。万用表欧姆档x10k以下的档位，内部电池电压只有5V，低于多数场效应管的开启电压，无法完成测试。测试绝缘栅型场效应管，应该用万用表的 x10k挡，内部电池电压至少9V。事先根据场效应管的类型（P沟道还是N沟道）为G极充电，令Ugs高于开启电压，再测量Rds即可。

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