绝缘栅增强型mos管
文章阐述了关于绝缘栅增强型mos管，以及绝缘栅增强型n沟道场效应管的信息，欢迎批评指正。
简述信息一览：
mos管是什么
MOS管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体。MOS管的电路符号会有多种变化，电路中最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，有时也会将代表通道的直线以破折线代替，主要用于区分增强型MOSFET或是耗尽型MOSFET。
MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）是一种三极场效应晶体管，是电子学中常用的晶体管器件之一。它具有高电流增益、高电压驱动能力和低功耗等优点，广泛应用于电路设计中。MOSFET由三个极层组成，包括：源极（source）：连接到N沟道区域，电流进入晶体管的端点。
绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极与漏极之间均***用SiO2（二氧化硅）绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor）。
主体不同 场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是两种不同类型的功率半导体器件，它们在电路设计中有不同的应用和特性。以下是它们之间的主要区别以及为什么选择使用其中之一： 架构：- MOSFET：MOSFET是一种场效应晶体管，它基于场效应原理工作。
高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理...
由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
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场效应管的特点
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用. 场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
场效应管的抗辐射能力强；由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
特点：由栅极电压控制其漏极电流，是电压控制型器件。主要作用：放大，恒流，阻抗变换，可变电阻和电子开关等。
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关 产品特性 （1）转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。（2）输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。
0电压导通,mos管上升时间
Tf： 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 （ 参考图 4） 。 Ciss： 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss： 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss： 反向传输电容，Crss=Cgc.MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要8-0.4=4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
MOS管在低边电路的结构：汽车mos，S端电压为0，只要控制G端电压达到GS电压阈值就能打开汽车MOS管。而高边应用则复杂些：GS电压达到阈值后，S端电压瞬间变为电源电压，因此为了维持导通，G端电压必须上升到电源电压+GS阈值电压才行。所以一般高边驱动都会增加一个升压模块，增加了成本。
d与s分别为两边连线）。N、P型的区别，就是一个为正电压启动（NMOS），一个为负电压启动（PMOS）。即：NMOS的g端为高电平时，d端与s端导通，为低电平时d端与s端断开；PMOS相反。PS：MOS管比较重要的参考有Vds，即d与s端允许的最大电压值；Ron，导通时的电阻；Ton，Toff，开关状态转变的时间。
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