内绝缘二极管

简述信息一览：

• 1、二极管具有什么特性
• 2、绝缘二极管是什么原理?有哪些型号规格参数?
• 3、二极管的结构与区别是哪些?
• 4、PFC电路用什么二极管来提高效率?
• 5、碳化硅SIC肖特基二极管耐高温(250度)有吗?

二极管具有什么特性

1、反向特性 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。

2、具有单向导通性（正向导通，反向截止）；稳压管ZENER线路板上表示符号：ZD NO.一般工作在反偏状态，即Reverse Bias.理想模型是正向无限导通，反向无限截止，反向漏电流为0。

3、二极管的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。二极管的正向特性。在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。二极管反向特性。

4、二极管的特性包括正向偏置特性、反向偏置特性、正向偏置电压特性。正向偏置特性 当二极管的P端连接正电压，N端连接负电压时，二极管处于正向偏置状态。此时，P端的空穴和N端的自由电子会向中心区域聚集，形成电子空穴对。这些电子空穴对会不断地向前扩散，形成电流。

绝缘二极管是什么原理?有哪些型号规格参数?

它可以是任何形状。不存在具体外形。其作用当然就很多了，因为它本身是一个非常广泛的一个词。湿木也属于半导体。（导体： 电阻率ρ 10-4 Ω·cm 绝缘体：电阻率ρ 109 Ω·cm）二极管：是由电子密度不相同的两种半导体组成的，分为为P极和N极，在中间交汇处形成一个PN结。

二极管、三极管就是掺入杂质的半导体制成的。热敏性，当温渡上升时，导体的导电能力会增强。利用该特性可以将某些半导体制成热敏器件。光敏性，当有光线照射半导体时，半导体的导电能力也会显著增强。利用该特性可以将某些半导体制成光敏器件。二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。

型号1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000电流（A） 均为1稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。

原理不同 二极管：具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。

二极管的结构与区别是哪些?

l 不同点：（1）空间电荷区：pn结的空间电荷区就是界面附近的区域，其中存在较强的内建电场，使得载流子往往被驱赶出去了，故一般可近似为耗尽层。

结构不同 普通二极管是由P型和N型半导体材料构成的。PN结构中的P和N区域之间形成一个电势垒，当外加电压反向时，电势垒加强，电子被阻断了流动，也就是正向工作；当外加电压正向时，电势垒被减弱，电子便可以通过元件进行导通，也就是反向工作。

结构区别：二极管有一个PN结，三极管有两个PN结。

PFC电路用什么二极管来提高效率?

举个例子来说，如果一款***用主动式PFC的300W电源，其能源转换效率为70%，那么它只需要428W的交流电；相反，一个***用被动式PFC的低效率300W电源，若其能源转换效率仅有40%，那么就需要750W交流电方能输出300W直流电给电脑，整整浪费了322W电力。

宽禁带提高了工作温度和可靠性 宽禁带材料可提高器件的工作温度，6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高达0eV和25eV，相应本征温度高达800℃以上；即便就是禁带最窄的3C-SiC，其禁带宽度也达到3eV左右。

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

碳化硅SIC肖特基二极管耐高温(250度)有吗?

材料：二极管的材料类型对其功率承受能力有很大影响。例如，硅（Si）和碳化硅（SiC）等材料的二极管具有不同的功率特性。 结构：二极管的结构和设计也会影响其功率承受能力。例如，高压二极管和肖特基二极管具有不同的设计，适用于不同的功率范围。

从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。首款工业级碳化硅MOSFET***用平面型设计，具备优异的体二极管能力，高温直流特性，以及优良的阈值电压稳定性。

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其缺点：反向漏电流比较大，所以没法做成高压的二极管。目前的肖特基二极管，基本都是200V以下的。虽然有些公司可以提供高压的肖特基硅二极管，但是也是将几个二极管串联之后封装在一起。当然也有公司称有独特的工艺，可以制造高压肖特基二极管，但并不知晓是什么样的工艺。

每年的碳化硅及相关材料国际会议ICSCRM都有来自全球的专家聚集在一起探讨有关碳化硅最新的技术动态。目前市场上已有的SiC器件包括光电子、功率和微波三类，具体器件有PIN二极管、肖特基二极管、MESFET、MOSFET、晶闸管、SiC基发光二极管等。

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