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场效应管与绝缘区别

简述信息一览:

场效应管按结构可分为两大类

1、场效应管按结构可分为结型、绝缘栅型两大类。场效应管是场效应晶体管的简称,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

2、场效应管的品种许多,按构造可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET).结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管次要指金属--氧化物--半导体场效应管(MOS管)。MOS管又分为“耗尽型”和“加强型”两种,而每一种又分为N沟道和P沟道 。

场效应管与绝缘区别
(图片来源网络,侵删)

3、场效应管分为两大类:结型场效应管和绝缘栅型场效应管。场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

4、场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

5、场效应管从结构上分成(结型)和(绝缘栅型) 两种类型,它的导电过程仅仅取决于(多数)载流子的流动;因而它又称做单极型器件。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET)简称场效应管。它属于电压控制型半导体器件。

场效应管与绝缘区别
(图片来源网络,侵删)

如何检测场效应管的好坏?

场效应管测量好坏方法:使用万用表测试、使用示波器测试。使用万用表测试 最简单的方法是使用万用表测试场效应管的导通情况。将万用表设置为测试二极管的模式(NPN或PNP),并将其两个引脚分别接到场效应管的源极和漏极上。如果万用表显示“导通”,则表示场效应管正常工作。

定性判断MOS型场效应管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。

用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll),则该场效应管损坏;如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆),其余各次测量电阻值均为无穷大,还需作进一步判断。用万用表Rxlkfl挡测量D极与S极之间的正、反电阻值。

从包装上区分 由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求。

段落1:场效应管的好坏可以通过几个主要指标来测量。第一个指标是漏极电流,也称为静态漏极电流或静态工作点电流。它表示在给定的输入条件下,场效应管漏极的电流值。较低的漏极电流通常意味着更好的性能和更小的功耗。第二个指标是增益。增益是指输入信号与输出信号之间的比率。

绝缘栅场效应管的工作原理

绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。因为绝缘栅型场效应管的栅极为金属铝,故又称为MOS管。场效应管按导电方式的不同来划分,可分成耗尽型与增强型。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用),所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

晶闸管(SCR)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)都是功率半导体器件,用于电能控制和开关应用,但它们在工作原理、特性和应用方面存在一些关键区别: 工作原理:- SCR:晶闸管是一个双极器件,工作原理基于自维持的电流冲击触发。一旦触发,它会继续导通,直到电流降至或降为零。SCR只能导通电流在一个方向。

IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说,IGBT就是一个电路开关,优点就是用电压控制,饱和压降小,耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮,它是由计算机控制的。

场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

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