绝缘栅形场效应管

xiaofei
绝缘管资讯
2024-07-06 20:30:47
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文章阐述了关于绝缘栅形场效应管，以及绝缘栅型场效应管电流方向的信息，欢迎批评指正。

简述信息一览：

1、IGBT的导通和截止条件是什么?
2、IGBT是什么元件
3、如何判断分结型场效应管,绝缘栅型场效应管
4、为什么场效应管输入电阻高?
5、绝缘栅型场效应管原理
6、绝缘栅场效应管的主要参数

IGBT的导通和截止条件是什么?

让IGBT彻底截止，从而让IGBT在导通与截止状态转换，其PWM脉宽频率和幅度是由前级控制的，从而IGBT输出交变的电流电压。其实不管E极怎么接或者有没有电压，在PNP管基极低电平的情况下，PNP管会呈导通状态，E极对地呈低阻状态。希望***纳。

正15V到负15V。IGBT的门极电压正常工作范围是在正15V到负15V，IGBT是一种双极晶体管，需要通过施加适当的正负电压来控制其导通和截止状态。高或低的门极电压会导致IGBT无***常工作或损坏。

（图片来源网络，侵删）

它的主要参数是：最大电流（ICM）、最高反压（Vces）。IGBT是电压触发型器件，工作原理是：在栅极“G”上加上一个高于射极“E”的电压，那么集电极“C”和射极“E”之间变成低阻导通状态。如果栅极“G”的电压小于或等于射极“E”的电压，那么集电极“C”和射极“E”之间呈现高阻截止状态。

IGBT的驱动条件高压IGBT和二极管在开关速度上都有其局限性。当dIF/dt为续流二极管FWD的限值时，则关断时IGBT的dVCE/dt值为其最大值。当然可以通过改变IGBT的门极驱动条件来调节这两个限值的变化。FWD的截止受IGBT开通的驱动条件控制。关断时务必保证IGBT处于其安全工作区内。

IGBT是什么元件

1、就是功率三极管，也叫晶闸管、开关管等，是电磁炉及其它线路中重要元件。三条腿，一般中间是删极、左右边是集电极和发射极。

（图片来源网络，侵删）

2、IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT（双极结型晶体三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特性是电力控制器件。

3、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

4、IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

5、IGBT（绝缘栅双极晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是半导体铁电效应器件的一种。它***了两种半导体器件的优点：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）高输入阻抗、快速开关的特性，以及双极型晶体管（BJT）低饱和电压（导通时的压降）、高电流承受能力的特性。

6、IGBT是绝缘栅双极型晶体管电子元件，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。

如何判断分结型场效应管,绝缘栅型场效应管

如何判断分结型场效应管、绝缘栅型场效应管：结型场管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。结型场效应管结构：N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

场效应管的品种许多，按构造可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管次要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。MOS管又分为“耗尽型”和“加强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

结型和绝缘栅型区别，有什么不同？在结型场效应管中，栅极和沟道间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开，便制成了绝缘栅型场效应管，其输入电阻可以提高。

为什么场效应管输入电阻高?

1、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

2、因为输入电阻的大小反映了放大电路对信号源的影响程度。输入电阻越大，放大电路从信号源汲取的电流（即输入电流）就越小，信号源内阻上的压降就越小，带负载能力越强。根据放大电路的作用可以将其分为：电压放大电路、电流放大电路和功率放大电路。

3、那是因为场效应管的栅极电阻很大，用它组成的放大器输入电阻都比较高。

绝缘栅型场效应管原理

结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见附图1。MOS场效应晶体管使用注意事项。MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。

极（e）。场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），中文名为绝缘栅双极型晶体管。它是功率电子技术领域中一种重要的半导体器件，将MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管（BJT）的高电导性状结合在一起。外部形式上看，IGBT的管脚分别是集电极（Collector），发射极（Emitter），栅极（Gate）。

绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。